下面是 IBM 在半导体领域所取得的最新突破:
铜介质
半导体业界一直有梦想能使用铜作为介质，这样可以获得比铝好 40% 以上的电流传输效率。但是直到最近制造流程才实现了这个目标。让我们从 Edison 的笔记本中翻出一页:IBM 的研究人员使用钨来生产基于铜的芯片，其速度比铝快 25倍到 30倍。科技界采用了这种技术，通常称之为 CMOS XS (其中 X 是一个数字)。
low-k 绝缘体
这种技术使用 SiLK 来防止铜线“串扰”，SiLK 是来自 Dow Chemical 的一种商业材料。
硅锗合金(SiGe)
在二极管芯片制造中用来代替功耗更高的砷化镓，SiGe 可以显著地改善操作频率、电流、噪音和电源容量。
绝缘硅(SoI)
在硅表面之间放上很薄的一层绝缘体，可以防止晶体管的“电子效应”，这样可以实现更高的性能和更低的功耗。
应变硅
这种技术对硅进行拉伸，从而加速电子在芯片内的流动，不用进行小型化就可以提高性能和降低功耗。如果与绝缘硅技术一起使用，应变硅技术可以更大程度地提高性能并降低功耗。
作者点评:在最近 10 年中，IBM 在半导体领域实现了一个又一个的突破:铜技术，绝缘硅，硅锗合金，应变硅和 low-k 绝缘体，这些新技术给它的服务器CPU发展奠定了扎实的基础。IBM的Power结构体系为广泛的处理器提供了技术基础，包括IBM的高端服务器芯片，以及到为计算机，服务器，手持设备和网络产品设计的PowerPC处理器。
Power4处理器主要用于高端Unix服务器，Power5处理器用途更加广泛，可用于刀片式服务器。分区的功能也得到了改善，Power4 处理器允许将分区设置为单个处理器的大小，Power5处理器允许进行数百个分区。目前POWER5由于很好地解决了自身的发热问题，使得应用范围可以延伸到从低端到高端的所有系列服务器当中，中小企业无疑将成为最大的受益者。
随着POWER5的发布，该产品将直接面对Itanium2和Opteron的市场竞争，IBM则认为:“POWER5绝对比Itanium-2更有效率。至于Opteron，经过power5在缓存和核心结构的成功改良，没人能够阻挡POWER5的进攻”。
